光刻加工是一种利用光刻胶和光影版进行图案转移的微纳加工技术，主要应用于半导体、光电子、微电子等领域。光刻加工的工艺过程包括：1.制备光刻胶：将光刻胶涂覆在基片表面，通过旋涂或喷涂的方式均匀涂覆。光刻加工的工艺过程较为复杂，但具有高分辨率、高精度等优点，因此广泛应用于微纳加工领域。
光刻加工是一种利用光刻胶和光影版进行图案转移的微纳加工技术，主要应用于半导体、光电子、微电子等领域。光刻加工具有以下特点：
1. 高分辨率：光刻加工可以实现亚微米级甚至纳米级的图案分辨率，可以满足微小尺寸的器件需求。
2. 高精度：光刻加工能够实现高度准确的对位和尺寸控制，可以保证器件的精度要求。
3. 多层叠加：光刻加工可以实现多层次、多个特征的图案叠加，方便制备复杂的器件结构。
4. 高产量：光刻加工采用批量制造的方式，能够在相对短的时间内同时处理大量的基片，提高生产效率。
光刻加工的工艺过程包括：
1. 制备光刻胶：将光刻胶涂覆在基片表面，通过旋涂或喷涂的方式均匀涂覆。
2. 暴光：将被光刻胶涂覆的基片与光源和掩膜对位，使用紫外线或激光照射，光通过掩膜的透明区域，使得掩膜上的特定图案暴光到光刻胶上。
3. 显影：将暴光后的光刻胶进行显影，即将光刻胶中未暴光的部分溶解掉，形成光刻胶图案。
4. 传递图案：使用显影后的光刻胶图案作为模板，通过蚀刻、沉积、脱模等工艺将图案转移到基片上。
5. 清洗：清洗基片上的残留光刻胶、残渣等杂质，使器件表面干净。
光刻加工的工艺过程较为复杂，但具有高分辨率、高精度等优点，因此广泛应用于微纳加工领域。